鉭及鉭合金靶材
鉭的熔點2996℃,密度16 68g cm3,導熱系數(25℃):54(W M K),鉭具有高導電性、高熱穩定性和對外來原子的阻擋作用，故用賤射鍍膜法在集成電路上鍍上鉭膜，可防止銅向基體硅中擴散。鉭靶材主要用于半導體及光學領域。 我公司的鉭靶材采用EB電子轟擊制備的鉭錠,通過軋制和退火工藝結合的方法生產而成。該方法生產的靶材具有良好的內部結構、均勻的結晶組織、織構以及能量分布。 目前產品遠銷到日本、韓國、臺灣、美國等國家和地區。
產品： 鉭靶材、鉭鎢合金靶材、鉭鈮合金靶材
鉭靶材純度： 3N5、4N及4N5三種級別
其他指標可以根據客戶要求組織生產
產品厚度： > 3.50mm
產品寬度： < 600mm
產品長度： < 1500mm
注：需方如有特殊要求，供需雙方可協商確定。
鉭靶材純度： 3N5、4N及4N5三種級別
其他指標可以根據客戶要求組織生產
產品厚度： > 3.50mm
產品寬度： < 600mm
產品長度： < 1500mm
注：需方如有特殊要求，供需雙方可協商確定。
